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IAUCN04S7N004ATMA1

IAUCN04S7N004ATMA1
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产品型号 IAUCN04S7N004ATMA1
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 MOSFET_(20V 40V)
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.44mOhm @ 88A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs169 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11310 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)219W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-53
Package / Case8-PowerTDFN

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