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R6020FNJTL

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产品型号 R6020FNJTL
制造商 ROHM Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 600V 20A LPT
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2350 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)304W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLPTS
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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