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WNSCM160120WQ

WNSCM160120WQ
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产品型号 WNSCM160120WQ
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
产品介绍 WNSCM160120W/TO-247/STANDARD MAR
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs196mOhm @ 10A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds736 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)155W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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