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IGO60R042D1AUMA2

IGO60R042D1AUMA2
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产品型号 IGO60R042D1AUMA2
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 GAN HV
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Product parameter

Product StatusActive FET Type-
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-DSO-20-85
Package / Case20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

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