GA50JT06-258
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| 产品型号 | GA50JT06-258 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品介绍 | TRANS SJT 600V 100A TO258 我们努力为客户提供 GeneSiC Semiconductor品牌的产品GA50JT06-258 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 769W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-258 |
| Package / Case | TO-258-3, TO-258AA |
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