G5N02L
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产品型号 | G5N02L |
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制造商 | Goford Semiconductor |
产品介绍 | N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0 我们努力为客户提供 Goford Semiconductor品牌的产品G5N02L 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 4.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±12V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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