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G5N02L

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产品型号 G5N02L
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 4.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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