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G08N03D2

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产品型号 G08N03D2
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds681 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)17W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-DFN (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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