FQP4N20L
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| 产品型号 | FQP4N20L |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| 产品介绍 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 我们努力为客户提供 Fairchild Semiconductor品牌的产品FQP4N20L 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Package / Case | TO-220-3 |
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FQP4N20L是一款高性能、可靠性强的单 FET、MOSFET
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