2SK536-TB-E
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| 产品型号 | 2SK536-TB-E |
|---|---|
| 制造商 | Sanyo |
| 产品介绍 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO 我们努力为客户提供 Sanyo品牌的产品2SK536-TB-E 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) | Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 3-CP |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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