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BUK9Y14-40B,115

BUK9Y14-40B,115
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产品型号 BUK9Y14-40B,115
制造商 NXP Semiconductors
产品介绍 TRANSISTOR >30MHZ
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 5 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)85W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package / CaseSC-100, SOT-669

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