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FDT3N40TF

FDT3N40TF
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产品型号 FDT3N40TF
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223-4
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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