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IRFB5620PBF

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产品型号 IRFB5620PBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 IRFB5620 - 12V-300V N-CHANNEL PO
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs72.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1710 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)144W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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