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RJK0226DNS-00#J5

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产品型号 RJK0226DNS-00#J5
制造商 Nexperia
产品介绍 RJK0226 - Silicon N Channel Powe
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 20A, 8V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6020 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)30W (Tc) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-HVSON (3x3.3)
Package / Case8-PowerVDFN

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