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GT040N04TI

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产品型号 GT040N04TI
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2303 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)160W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

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