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G230P06T

G230P06T
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产品型号 G230P06T
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4499 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)115W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

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