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FCP600N60Z

FCP600N60Z
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产品型号 FCP600N60Z
制造商 Fairchild Semiconductor
产品介绍 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)89W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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