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G030N06M

G030N06M
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产品型号 G030N06M
制造商 Goford Semiconductor
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 223A TO-263
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C223A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs101 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12432 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)240W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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