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IRF6662TRPBF

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产品型号 IRF6662TRPBF
制造商 International Rectifier
产品介绍 IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.3A (Ta), 47A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8.2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.8W (Ta), 89W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDIRECTFET™ MZ
Package / CaseDirectFET™ Isometric MZ

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