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P3M173K0T3

P3M173K0T3
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产品型号 P3M173K0T3
制造商 PN Junction Semiconductor
产品介绍 SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6Ohm @ 600mA, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 600µA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)75W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-2L
Package / CaseTO-220-2

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