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P3M06060L8

P3M06060L8
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产品型号 P3M06060L8
制造商 PN Junction Semiconductor
产品介绍 SICFET N-CH 650V 40A TOLL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 20A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 5mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+20V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)188W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTOLL
Package / Case-

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