P3M12080G7
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| 产品型号 | P3M12080G7 |
|---|---|
| 制造商 | PN Junction Semiconductor |
| 产品介绍 | SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7 我们努力为客户提供 PN Junction Semiconductor品牌的产品P3M12080G7 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 96mOhm @ 20A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 136W | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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