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NTE2973

NTE2973
NTE Electronics, Inc.图片仅供参考。
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产品型号 NTE2973
制造商 NTE Electronics, Inc.
产品介绍 MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)275W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-3P
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3

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