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CC-C2-B15-0322

CC-C2-B15-0322
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产品型号 CC-C2-B15-0322
制造商 CoolCAD
产品介绍 SiC Power MOSFET 1200V 12A
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 10A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 15 V Vgs (Max)+15V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1810 pF @ 200 V FET FeatureStandard
Power Dissipation (Max)100W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-4

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