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P3M12040K4

P3M12040K4
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产品型号 P3M12040K4
制造商 PN Junction Semiconductor
产品介绍 SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 40A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 40mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)+21V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)349W Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4L
Package / CaseTO-247-4

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