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IV1Q12050T4

IV1Q12050T4
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产品型号 IV1Q12050T4
制造商 Inventchip Technology
产品介绍 SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C58A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 20A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 20 V Vgs (Max)+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2750 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)344W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

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