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IRFAE20

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产品型号 IRFAE20
制造商 International Rectifier
产品介绍 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs- Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-204AA (TO-3)
Package / CaseTO-204AA, TO-3

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