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PHD9NQ20T,118

PHD9NQ20T,118
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产品型号 PHD9NQ20T,118
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds959 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)88W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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