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PHD38N02LT,118

PHD38N02LT,118
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产品型号 PHD38N02LT,118
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44.7A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.1 nC @ 5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)57.6W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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