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BSH111,215

BSH111,215
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产品型号 BSH111,215
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C335mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 8 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)830mW (Tc) Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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