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PHD20N06T,118

PHD20N06T,118
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产品型号 PHD20N06T,118
制造商 Nexperia
产品介绍 MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds422 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)51W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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