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TPCC8A01-H(TE12LQM

TPCC8A01-H(TE12LQM
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产品型号 TPCC8A01-H(TE12LQM
制造商 Toshiba Electronic Devices and
产品介绍 MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.9mOhm @ 10.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta), 30W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-TSON Advance (3.3x3.3)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad

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