SI5853CDC-T1-E3
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| 产品型号 | SI5853CDC-T1-E3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 产品介绍 | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 我们努力为客户提供 Vishay / Siliconix品牌的产品SI5853CDC-T1-E3 最有竞争力的供应链服务，请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 2.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 8 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 10 V | FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 3.1W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
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