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VS-FB190SA10

VS-FB190SA10
Vishay General Semiconductor –图片仅供参考。
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产品型号 VS-FB190SA10
制造商 Vishay General Semiconductor –
产品介绍 MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190A (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 180A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10700 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)568W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Supplier Device PackageSOT-227
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC

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