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2N7639-GA

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产品型号 2N7639-GA
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 TRANS SJT 650V 15A TO257
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Product parameter

Product StatusObsolete FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc) (155°C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 15A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1534 pF @ 35 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)172W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-257
Package / CaseTO-257-3

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