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DMG9N65CTI

DMG9N65CTI
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产品型号 DMG9N65CTI
制造商 Diodes Incorporated
产品介绍 MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2310 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)13W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageITO-220AB
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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