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GA20JT12-263

GA20JT12-263
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产品型号 GA20JT12-263
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
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Product parameter

Product StatusObsolete FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 20A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3091 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)282W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263-7
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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