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APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G
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产品型号 APTC90DAM60T1G
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C59A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 52A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs540 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)462W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Supplier Device PackageSP1
Package / CaseSP1

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