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JANTXV2N6766

JANTXV2N6766
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产品型号 JANTXV2N6766
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET N-CH 200V 30A TO3
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)4W (Ta), 150W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-3
Package / CaseTO-204AE

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