2N6766
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产品型号 | 2N6766 |
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制造商 | Microsemi |
产品介绍 | MOSFET N-CH 200V 30A TO3 我们努力为客户提供 Microsemi品牌的产品2N6766 最有竞争力的供应链服务,请登录我们官网 www.allic.cn了解产品信息或联系我们销售代表 |
- 产品参数
- pdf参数资料
Product parameter
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-3 |
Package / Case | TO-204AE |
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