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2N6798

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产品型号 2N6798
制造商 Microsemi
产品介绍 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.29 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)800mW (Ta), 25W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-39
Package / CaseTO-205AF Metal Can

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