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GA50JT17-247

GA50JT17-247
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产品型号 GA50JT17-247
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 TRANS SJT 1700V 100A TO247
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Product parameter

Product StatusObsolete FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 50A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)583W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247
Package / CaseTO-247-3

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