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GA05JT01-46

GA05JT01-46
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产品型号 GA05JT01-46
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品介绍 TRANS SJT 100V 9A TO46
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Product parameter

Product StatusObsolete FET Type-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 5A Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)20W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 225°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-46
Package / CaseTO-46-3

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