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5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E
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产品型号 5LN01C-TB-E
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.57 nC @ 10 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6.6 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)250mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSC-59-3/CP3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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