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NTMFS4H02NFT1G

NTMFS4H02NFT1G
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产品型号 NTMFS4H02NFT1G
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta), 193A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.9 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2652 pF @ 12 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.13W (Ta), 83W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads

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