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IPB45N06S409ATMA2

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产品型号 IPB45N06S409ATMA2
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.4mOhm @ 45A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 34µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3785 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)71W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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