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APT80SM120J

APT80SM120J
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产品型号 APT80SM120J
制造商 Microsemi
产品介绍 SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 40A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)273W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount Supplier Device PackageSOT-227
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC

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