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IPU80R2K8CEAKMA1

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产品型号 IPU80R2K8CEAKMA1
制造商 Infineon Technologies
产品介绍 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 1.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)42W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackagePG-TO251-3
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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