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TPH3208LD

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产品型号 TPH3208LD
制造商 Transphorm
产品介绍 GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13A, 8V Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 8 V Vgs (Max)±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package4-PQFN (8x8)
Package / Case4-PowerDFN

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