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TPH3205WSB

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产品型号 TPH3205WSB
制造商 Transphorm
产品介绍 GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 8V Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 8 V Vgs (Max)±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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