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FQD3P50TM-F085

FQD3P50TM-F085
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产品型号 FQD3P50TM-F085
制造商 onsemi
产品介绍 MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9Ohm @ 1.05A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252AA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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